打满分为科学事业做出贡献，张晨栋论文题为“Engineering Point-Defect States in Monolayer WSe2”（《单层二硒化钨点缺陷的能级调制工程》），张晨栋为第一作者和共同通讯作者，武汉大学为论文第一署名单位。团队的研究工作由德克萨斯大学奥斯汀分校Chih-Kang Shih教授、中国人民大学季威教授、阿卜杜拉国王科技大学Lain-Jong LI教授和香港大学姚望教授多个团队合作完成。
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