一、填空题(每空1分，共18分)
1.PN结具有 性能，即：加 电压时PN结导通;加 电压时PN结截止。
2.晶体二极管因所加 电压过大而 ，并且出现
的现象，称为热击穿。
3.硅晶体三极管的饱和压降约为 V，锗晶体三极管的饱和压降约为 V。
4.一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。
5.表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有 、 和。
6.对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号源的负担，输出电阻要 些，以增大带动负载的能力。
7.逻辑代数的三种基本运算是 、 和 。
8.放大电路必须设置合适的静态工作点，否则，输出信号可能产生。
二、判断题(每题2分，共16分)
1.在半导体内部，只有电子是载流子。( )
2.晶体二极管击穿后立即烧毁。( )
3.无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。( )
4.放大器的`静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。( )
5.交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。( )
6.逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。( )
7.与门的逻辑功能可以理解为输入端有0，则输出端必为0;只有当输入端全为1时，输出端为1。( )
8.负反馈可以消除放大器本身产生的非线性失真。( )
三、选择题(每题3分，共18分)
1.内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是( )
A、P型半导体 B、N型半导体 C、本征半导体
2.晶体三极管的发射结正偏，集电极反偏时，则晶体三极管所处的状态是( )
A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态
3.晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管( )
A、发射结为反向偏置 B、集电结为正向偏置
C、始终工作在放大区
4.凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高、低电平的矩形波脉冲信号，称为( )
A、模拟信号 B、数字信号 C、直流信号
5.二进制数10011转换为十进制数后为( )
A、18 B、19 C、21
6.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )
A、NPN 型硅管 B、NPN 型锗管 C、PNP 型硅管
四、问答题与计算题(48分)
1.如图示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为锗管)。(每题5分，共10分)
-2。2V
1.7V
6V
-2。3V
-2V
1V
2.画出三极管的输出特性曲线。(8分)
3.如图所示电路中，β=100， ，试计算：(15分)
(1)放大电路的静态工作点;(6分)
(2)画出放大电路的微变等效电路;(3分)
(3)求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro;(6分)
4.如图所示是一个具有半数表决功能的电路，试分析它的逻辑功能，写出逻辑表达式并列出真值表。(15分)
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