物体的辐射力与吸收率间的关系可以由基尔霍夫定律给出，并由实验证实，下列无条件成立的是（）。
A 、
B 、
C 、
D 、
【正确答案：D】
A项中等式成立的条件是对漫—灰表面，与辐射性质、方向、波长等均无关；B项中等式成立的条件是对于灰表面，与辐射性质与波长无关；C项中等式成立的条件是对漫射表面，与辐射性质与方向无关；D项中等式无条件成立，对物体表面性质、是否处于热平衡都不做要求。所以D项正确。
基尔霍夫定律
Kirchoff's law
阐明集总参数电路中流入和流出节点的各电流间以及沿回路的各段电压间的约束关系的定律。1845年由德国物理学家G.R.基尔霍夫提出。集总参数电路指电路本身的最大线性尺寸远小于电路中电流或电压的波长的电路，反之则为分布参数电路。基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。
基尔霍夫电流定律又称节点电流定律（KCL） 任一集总参数电路中的任一节点，在任一瞬间流出（流入）该节点的所有电流的代数和恒为零，即就参考方向而言，流出节点的电流在式中取正号，流入节点的电流取负号。基尔霍夫电流定律是电流连续性和电荷守恒定律在电路中的体现。它可以推广应用于电路的任一假想闭合面。
即对任一节点有：∑i =0 。
基尔霍夫电压定律（KVL）任一集总参数电路中的任一回路，在任一瞬间沿此回路的各段电压的代数和恒为零，即电压的参考方向与回路的绕行方向相同时，该电压在式中取正号，否则取负号。基尔霍夫电压定律是电位单值性和能量守恒定律在电路中的体现。它可推广应用于假想的回路中。
即对任一闭合回路有：∑u =0 。
基尔霍夫定律
基尔霍夫定律的内容：一个辐射体向周围发射辐射能时，同时也吸收周围辐射体所发射的能量。在平衡辐射状态下，该物体的发射总能量等于它的吸收总能量。辐射体在温度T、波长为λ的总能量与吸收本领的比值等于处在平衡辐射态时吸收总能量，它与物体的性质无关，而是波长和温度的普适函数。
基尔霍夫定律的结论：一个发射本领大的辐射体，它的吸收本领也一定大。当吸收系数为1时，表示物体吸收了全部发射到它上面辐射能量，是一个理想的辐射体。只有黑体才能够在任何温度下及在任何波长上吸收本领恒为1 。一般辐射体的吸收本领总是小于黑体的，即吸收系数小于1。
基尔霍夫定律（物理化学方面）
某一化学反应的反应焓随温度而变化是由于生成物与反应物的热容不同引起的。即：反应焓随温度的变化率等于生成物等压热容之和减去反应物等压热容之和。
基尔霍夫定律是德国物理学家基尔霍夫提出的。基尔霍夫定律是电路理论中最基本也是最重要的定律之一。它概括了电路中电流和电压分别遵循的基本规律。它包括基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL）。定义：在给定温度下，对于给定波长，所有物体的比辐射率与吸收率的比值相同，且等于该温度和波长下理想黑体的比辐射率编辑本段主要内容基尔霍夫第一定律第一定律又称基尔霍夫电流定律，简记为KCL，是电流的连续性在集总参数电路上的体现，其物理背景是电荷守恒公理。基尔霍夫电流定律是确定电路中任意节点处各支路电流之间关系的定律，因此又称为节点电流定律，它的内容为：在任一瞬时，流向某一结点的电流之和恒等于由该结点流出的电流之和，即： 基尔霍夫定律在直流的情况下，则有： 基尔霍夫定律通常把上两式称为节点电流方程，或称为KCL方程。 它的另一种表示为： 基尔霍夫定律在列写节点电流方程时，各电流变量前的正、负号取决于各电流的参考方向对该节点的关系（是“流入”还是“流出”）；而各电流值的正、负则反映了该电流的实际方向与参考方向的关系（是相同还是相反）。 通常规定，对参考方向背离（流出）节点的电流取正号，而对参考方向指向（流入）节点的电流取负号。 KCL的应用图KCL的应用所示为某电路中的节点 ，连接在节点的支路共有五条，在所选定的参考方向下有： 基尔霍夫定律KCL定律不仅适用于电路中的节点，还可以推广应用于电路中的任一假设的封闭面。即在任一瞬间，通过电路中任一假设封闭面的电流代数和为零。 KCL的推广图KCL的推广所示为某电路中的一部分，选择封闭面如图中虚线所示，在所选定的参考方向下有： 基尔霍夫定律基尔霍夫第二定律第二定律又称基尔霍夫电压定律，简记为KVL，是电场为位场时电位的单值性在集总参数电路上的体现，其物理背景是能量守恒公理。基尔霍夫电压定律是确定电路中任意回路内各电压之间关系的定律，因此又称为回路电压定律，它的内容为：在任一瞬间，沿电路中的任一回路绕行一周，在该回路上电动势之和恒等于各电阻上的电压降之和，即： 基尔霍夫定律在直流的情况下，则有： 基尔霍夫定律通常把上两式称为回路电压方程，简称为KVL方程。 KVL定律是描述电路中组成任一回路上各支路（或各元件）电压之间的约束关系，沿选定的回路方向绕行所经过的电路电位的升高之和等于电路电位的下降之和。 回路的“绕行方向”是任意选定的，一般以虚线表示。在列写回路电压方程时通常规定，对于电压或电流的参考方向与回路“绕行方向”相同时，取正号，参考方向与回路“绕行方向”相反时取负号。 KVL的应用图KVL的应用所示为某电路中的一个回路ABCDA，各支路的电压在所选择的参考方向下为u1、u2、u3、u4，因此，在选定的回路“绕行方向”下有：u1+u2=u3+u4。 KVL定律不仅适用于电路中的具体回路，还可以推广应用于电路中的任一假想的回路。即在任一瞬间，沿回路绕行方向，电路中假想的回路中各段电压的代数和为零。 KVL的推广图KVL的推广所示为某电路中的一部分，路径a、f 、c 、b 并未构成回路，选定图中所示的回路“绕行方向”，对假象的回路afcba列写KVL方程有：u4+uab=u5，则：uab=u5-u4。 由此可见：电路中a、b两点的电压uab，等于以a为原点、以b为终点，沿任一路径绕行方向上各段电压的代数和。其中，a、b可以是某一元件或一条支路的两端，也可以是电路中的任意两点。 KCL的复频域形式从电路理论中已经知道，对于电路中的任一个节点A或割集C，其时域形式的KCL方程为 基尔霍夫定律，k=1,2,3,……n，式中，n为连接在节点A上的支路数或割集C中所包含的支路数。对上式进行拉普拉斯变换得基尔霍夫定律式中， 基尔霍夫定律为支路电流ik(t)的像函数。上式即为KCL的复频域形式。它说明集中于电路中任一节点A的所有支路电流像函数的代数和等于零；或者电路的任一割集C中所有支路电流像函数的代数和等于零。 KVL的复频域形式 对于电路中任一个回路，其时域形式的KVL方程为 基尔霍夫定律，k=1,2,3,……n。式中，n为回路中所含支路的个数。对上式进行拉普拉斯变换即得 ，式中， 为支路电压uk(t)的像函数。上式即为KVL的复频域形式。它说明任一回路中所有支路电压像函数的代数和等于零。 编辑本段相关应用基尔霍夫电流定律（KCL）描述了电路中各支路的电流之间的关系，基尔霍夫电压定律（KVL）描述了电路中各支路电压之间的关系，它们都与电路元件的性质无关，而只取决于电路的连接方式。所以我们把这种约束关系称为连接方式约束或拓扑约束，而把根据它们写出来的方程分别称为KCL约束方程和KVL约束方程。 编辑本段附基尔霍夫定律是有关热辐射的基本定律中的一条，在热辐射的理论和应用中都占有很重要的地位。又成为基尔霍夫辐射定律。 辐射 实验得知，当热量平衡情况下，即温度保持恒定时，如物体发出波长λ的辐射能，也将吸收同样波长λ的辐射能；发射率较大的物质，其吸收率也较大。基尔霍夫定律表述了这种关系：物体的发射率(eλ,T)和吸收率(aλ,T)与物体的性质有关，但eλ,T与aλ,T的比值和物体的性质无关。对所有物体而言，此比值只是温度T与波长λ的函数，用下式表示： 基尔霍夫定律 式中eλ.T和aλ.T分别为在温度一定时物体对某一波长的辐射能力和吸收率；Eλ.T为一常数。 对于一定的波长λ，在一定的温度T时，此比值为与物体性质无关的常数。对于绝对黑体来说，aλ,T= 1，所以绝对黑体的发射率就等于E(λ,T)。显然，任何物体在某一温度T时，对某一波长λ的发射率与吸收率之比值就等于绝对黑体在同温度T时同一波长λ的发射率。 由此可知：①辐射能力强的物体，其吸收能力也强，反之亦然；
②对于同一物体，在温度T时辐射某一波长的辐射，那么它也吸收这一波长的辐射；
③在同一温度下，任何物体的辐射能力，都小于黑体的辐射能力。基尔霍夫定律把一般物体的辐射、吸收与黑体的辐射联系起来，从而可能通过研究黑体辐射来了解一般物体的辐射。
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