用光的或电的方法对半导体施加外界作用,破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子
用光的或电的方法对半导体施加外界作用,破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子
非平衡载流子产生的两种方法
用光的或电的方法对半导体施加外界作用,破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子
用光的或电的方法对半导体施加外界作用,破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子
非平衡载流子弛豫是指处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度也不再是n0和p0(此处0是下标),可以比他们多出一部分。
比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。
非平衡载流子的产生:非平衡状态的半导体有两种情况,一种是比平衡载流子多出了一部分载流子,为注入情况;另一种是比平衡载流子缺少了一部分载流子,为 抽出情况。