1，清洗衬底。
(1)按尺寸挑选硅片，处理后硅片表面覆盖了一层二氧化硅，二氧化硅表面抛光， 二氧化硅的厚度可以是100-300nm，形成二氧化硅/硅衬底。该衬底放置于加入洗洁剂的去 离子水中，超声30-60min；
(2)将衬底用去离子水冲洗干净并在去离子水中超声10-30min；
(3)将衬底放入无水乙醇溶液中超生10-20min后取出用去离子水冲洗干净并在去 离子水中超声10-20min；
(4)将衬底放入丙酮溶液中超声15-25min后取出用去离子水冲洗干净并在去离子 水中超声10-20min，最后放置于无水乙醇中备用。
步骤2，将一定重量的S放置于石英舟中并将其置于距管式炉进气口25cm处；将一定重量的WO3放置于另外一个石英舟中，将二氧化硅/硅衬底斜搭在石英舟上，将其置于加热区中心。管式炉预先通氮气25-60分钟，氮气流量为60-200sccm，将管中空气排净。
步骤3，将氮气流量调整为50-200sccm，以15-30℃/min的加热速度将管式炉升温 至800-950℃，保温15-45min。
步骤4，待管式炉自然降温到室温时，降至室温时取出样品，打开炉盖取出样品。
本发明的有益效果：
