效应是什么意思?
闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。
简介
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up），是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。
Latchup效应是一种半导体器件中的不良现象，它会导致器件失效。当器件中的PN结或MOSFET管内部有相互连接的PNPN结构时，如果外部电路中的电压或电流超过一定值，就会导致PNPN结构中的PNP晶体管和NPN晶体管同时导通，形成一个正反馈环路，从而使整个器件失效。
这种现象被称为Latchup效应，因为一旦器件失效，它就会一直保持在失效状态，直到外部电源被关闭或者器件被替换。为了避免Latchup效应，需要在设计和制造过程中采取一系列措施，例如增加器件的抗干扰能力，采用特殊的结构和工艺等。
Latch-up是指体CMOS集成电路中所固有的寄生双极晶体管（BJT处于放大状态的条件：发射结正偏，集电结反偏）组成的电路会在一定的条件下被触发而形成低阻通路,而产生大电流,并且由于正反馈电路的存在而形成闩锁,导致CMOS集成电路无法正常工作,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的。
Latch up 是指cmos晶片中，在电源power VDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路。
latchup意思是封锁，封锁效应。
