因为放大系数表达了IE转化为ICN的能力,一般能达到0.98以上。为了达到0.98须使IB足够小,IB=IEP+IBN-ICBO。
基区宽度薄且掺杂浓度低,电子与空穴复合机会少,使得IBN和IEP很小,大多数电子都能扩散到集电结边界,集电结面积大更容易收集电子,增大IE到ICN的转化率。
为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做的很薄
因为放大系数表达了IE转化为ICN的能力,一般能达到0.98以上。为了达到0.98须使IB足够小,IB=IEP+IBN-ICBO。
基区宽度薄且掺杂浓度低,电子与空穴复合机会少,使得IBN和IEP很小,大多数电子都能扩散到集电结边界,集电结面积大更容易收集电子,增大IE到ICN的转化率。
内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.