EUV光刻机是一种用于芯片制造的刻画技术,全称为极紫外光刻,即采用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)进行曝光。
相比于传统的深紫外光刻技术,EUV光刻机使用波长更短、能量更高的极紫外光刻画芯片图形,能够实现更高密度的芯片设计,同时还可以大幅度减少芯片成本和功耗。
EUV光刻机的核心是光源,通常使用锗(Ge)和锡(Sn)等元素产生能量最高、波长最短的光线,用于照射芯片上的光刻胶,形成图形。在当前的半导体生产中,EUV光刻机已经成为了必不可少的芯片制造工具。
什么是光刻机的多重曝光
EUV光刻机是一种用于芯片制造的刻画技术,全称为极紫外光刻,即采用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)进行曝光。
相比于传统的深紫外光刻技术,EUV光刻机使用波长更短、能量更高的极紫外光刻画芯片图形,能够实现更高密度的芯片设计,同时还可以大幅度减少芯片成本和功耗。
EUV光刻机的核心是光源,通常使用锗(Ge)和锡(Sn)等元素产生能量最高、波长最短的光线,用于照射芯片上的光刻胶,形成图形。在当前的半导体生产中,EUV光刻机已经成为了必不可少的芯片制造工具。
EUV是指紫外光的意思。
极紫外线光刻机是芯片生产工具,是生产大规模集成电路的核心设备,对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆,只能用EUV光刻机生产。
EUV极紫外光刻(Extreme Ultra-Violet)是一种使用极紫外(EUV)波长的新一代光刻技术,其波长为13.5纳米。由于光刻精度是几纳米,EUV对光的集中度要求极高,相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm,相当于北京到上海的铁轨起伏不超过1毫米。一台EUV光刻机重达180吨,超过10万个零件,需要40个集装箱运输,安装调试要超过一年时间。