非晶硅薄膜晶体管
非晶硅薄膜晶体管（a-Si：H TFT--amorphous silicon thin film transistor）沟道采用非晶硅材料制成。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上，所以生产成本低廉，得到了广泛的应用。
正文
非晶硅薄膜可以通过辉光放电分解硅烷制备。所以实际上这样制作的非晶硅薄膜是非晶硅和氢的合金。（a-Si：H）
非晶硅又称为无定形硅。电子在非晶硅中的运动可以分为两类：
1、扩展态：和晶体中电子运动相似，电子可以在整个材料中做公有化运动。
2、局域态：电子只能局域在材料的某些点附近的一个小范围内运动。其中局域态又可以区分为带尾局域态和缺陷局域态。带尾局域态：非晶硅中每个硅周围都与4个硅原子作为最近邻形成共价键。缺陷局域态：非晶硅中硅周围不一定是4个硅原子最近邻形成共价键，可能与3个硅原子作为最近邻形成共价键。剩下的一个键成为悬挂键，这个悬挂件既可以释放电子称为带正点的电离施主，也可以捕获电子成为带负点的电离受主。
非晶硅薄膜晶体管在结构和工作原理上和一般的MOSFET相似。具有MOS结构，并且也是场效应晶体管。栅极在非晶硅中感应沟道，并在源漏偏压下导电。
