电荷存储效应是指在 MOS 场效应晶体管（MOSFET）中，由于接近了 PN 结，使得栅极与源漏区域之间的氧化层上出现感应电荷而引起的一种现象。
在 MOSFET 中，当栅极施加正电压时，当栅极和源漏区域之间的氧化层变薄时，会形成一个反型沟道，导电性能增强，从而实现了电流流通的控制。然而，随着氧化层变薄，栅极与源漏区域之间的耗尽区出现了 PN 结，这个区域内部存在着大量的载流子。当栅极施加正电压时，PN 结处的载流子会发生漂移，使得 PN 结区域开始呈现出正向偏压，形成反向击穿现象。为了防止这种现象的发生，MOSFET 的制造过程通常会在 PN 结形成区域与氧化层之间添加一个具有高介电常数的材料，从而形成一个电容，用来吸收灵敏的载流子。
如果半导体表面太过光滑或者氧化层非常薄，则电容较小，此时栅极施加的电压与 PN 结内的电荷相互作用，将会在氧化层上形成一片感应电荷区域，这个感应电荷区域会使得偏压的分布发生变化，同时也会严重影响器件的性能和可靠性。这种现象就是电荷存储效应。
为了减小电荷存储效应的影响，可以通过增大氧化层厚度或者采用特殊的工艺，比如添加一些抵消掉感应电荷效应的结构等方式来进行解决。
