集成电路工艺中的化学品
1.mos集成电路的热氧化工艺包括湿氧化和干氧化。
2.mos集成电路的热氧化是指将硅片在高温下与氧气反应，形成一层二氧化硅膜。这层二氧化硅膜作为材料在集成电路制造中的一个重要部分，可以用于绝缘、掩模和模板等多重用途。热氧化工艺有干氧化和湿氧化两种，前者使用干燥氧气，后者使用含水蒸气的氧气，二者在反应速率、氧化层增长的方式等方面略有不同。
3.除了热氧化工艺之外，其他常见的氧化工艺还包括PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和DRIE（深刻蚀技术）等。这些工艺的特点和优缺点不同，应用范围也不同。
干氧化法和湿氧化法
(1)热氧化工艺:包括干氧化法和湿氧化法;
(2)扩散工艺:包括扩散法和离子注入法;
(3)淀积工艺:化学淀积方法:1 外延生长法;
2 热CVD法;
3 等离子CVD法;
物理淀积方法:1 溅射法;
2 真空蒸发法
(4)光刻工艺:工序包括:1 涂光刻胶;
2 预烘干;
3 掩膜对准;
4 曝光;
5 显影;
6 后烘干;7 腐蚀;8 去胶。
热氧化是氧分子或者水分子在高温下与硅反应从而在硅表面形成氧化硅的过程。
热氧化工艺包括，热氧化生长法，VCD法(热分解淀积法)，外延生长，真空蒸发法，阳极氧化法等。
