1. 芯片设计：首先需要进行芯片设计，包括确定芯片的功能和参数，通过计算机辅助设计软件绘制电路图和版图。
2. 掩模制作：将设计好的电路图和版图通过一系列加工工艺制作成一张掩膜，即光刻掩模。
3. 晶圆制备：将掩膜和一张硅晶片上的光敏材料层（如光阻）通过紫外线照曝光和化学腐蚀等工艺制作成一张透明的光刻模板，也就是晶圆上的电路结构。
4. 晶圆曝光：将掩模映射到晶圆上，使用紫外线把芯片的电路图投影到晶圆上，并将其映射下来，形成芯片中细小的电路图案，将电路图案形成模拟信号轨迹。
5. 蚀刻：蚀刻即是去掉没有被照射到紫外线的部分材料，呈现晶圆上电路轨道图的过程。
6. 氧化处理：对晶体表面进行处理，清除蚀刻剩余物质和杂质，并在晶体表面形成一层氧化层作为保护和支撑层。
7. 衬底接口形成：晶圆经过蚀刻和氧化处理后，形成电路图案和氧化层，还应当形成衬底接口，即p-n结或者MOS结的形成。
8. 金属化处理：利用蒸镀或物理气相沉积方式，在晶圆上沉积一层金属，作为连接电路的线路。
9. 器件结构形成：利用化学蚀刻、离子注入或沉积等过程形成介电层和金属化层，实现电改革工作。
10. 测试和封装：制成封装件并进行测试。测试包括特性参数测试和可靠性测试等，封装则是将芯片封装到具有引脚的器件中，以方便使用。
