1. mosfet载流子迁移率会增加。
2. 这是因为当mosfet的载流子迁移率增加时，电流在mosfet中的流动速度也会增加，从而提高了mosfet的导电性能。
3. 当mosfet的载流子迁移率增加时，可以通过优化材料的制备工艺、改善晶体结构、增加杂质掺入等方式来提高载流子的迁移率。这样可以使mosfet在工作时更加高效稳定，提高电子器件的性能。
问mosfet载流子迁移率为什么会增加
问题描述：
mosfet载流子迁移率为什么会增加
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半导体掺杂浓度不是太高时（小于10的19次方），载流子运动时受晶格散射影响较大，而温度低时，晶格振动较弱，晶格散射作用就小，所以载流子的迁移率较温度高时要大（见《半导体物理学》第四章相关内容）
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