MOS管为什么总是无缘无故击穿
原因如下
1.破坏性击穿并不会出现，
原因：场强没有达到雪崩击穿场强，并不会产生大量电子空穴对；
2.在沟道中间发生；
原因：穿通不容易发生在沟道表面，沟道注入使表面浓度大形成，NMOS管场效应管有防穿通注入；
3.发生在沟道中间：鸟嘴边缘浓度> 沟道中间浓度
4.软击穿：击穿过程中，电流渐渐变大；
原因：耗尽层扩展较宽，同时发生DIBL效应，源衬底结正偏出现电流渐渐变大；
5.软击穿点：在源漏的耗尽层相接时，源端载流子注入耗尽层中，被电场加速达到漏端，电流变大，与雪崩击穿电流不同，与源衬底PN结正向导通时电流相同。
当电路中电压或电流超出MOS管所能承受的范围时，就会导致MOS管出现击穿现象。这可能是由于电源问题、电路设计缺陷或其他外部因素引起的。如果MOS管经常无缘无故地击穿，建议先检查电路是否正常，确认电压和电流是否在控制范围内，以及MOS管是否选用适当的型号，并注意电路保护和防雷措施。
MOS管击穿的原因可能有多种，包括过电压、过电流、过热等。
以下是一些可能导致MOS管击穿的原因：
1. 过电压：当MOS管的栅源电压超过了其额定的最大值时，会导致击穿。
2. 过电流：当MOS管的导通电流超过了其额定的最大值时，也会导致击穿。
3. 过热：当MOS管工作时过热，会导致击穿。
4. 其他因素：例如静电放电、灰尘等也可能导致MOS管击穿。
因此，为了避免MOS管击穿，需要合理设计电路，确保工作电压和电流在MOS管的额定范围内，并保持MOS管的散热良好。
MOS管击穿的原因有很多，其中一些原因包括：
1. MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏 。
2. 过流——持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压——源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电——静电击穿.
