反散射峰主要由打到光电倍增管上或晶体周围物质上后反散射回到晶体中的射线产生。
射线在源衬底上的反散射也会对反散射峰有贡献。
反散射峰:能量总在200keV左右,发生概率max,即射线穿过探测器后,被后面物质反散射回来,被探测到。
反散射方法
反散射峰主要由打到光电倍增管上或晶体周围物质上后反散射回到晶体中的射线产生。
射线在源衬底上的反散射也会对反散射峰有贡献。
反散射峰:能量总在200keV左右,发生概率max,即射线穿过探测器后,被后面物质反散射回来,被探测到。
当γ射线与探测器周围的物质发生康普顿效应,其反散射光子进入探测器,并通过光电效应被记录后所形成的峰。能谱中反散射峰的大小和源的底衬材料、周围屏蔽材料以及探测器和屏蔽之间的安排有关。