CVD真空镀膜工艺流程主要包含以下步骤:
1.Superintendent钢材清洗。将基板进行酸洗、碱洗、超声波清洗等工序,清除表面油污、氧化层和其他杂质,获得清洁光亮的表面。
2. 真空泵抽空。将清洗后的钢材基板放入CVD设备的反应室内,并使用真空泵将反应室抽至高度真空状态,一般达到10^-4 Pa以下。
3. 加热基板。使用电阻丝或高频感应加热基板至一定温度,为后续的化学反应铺垫环境。温度一般在200-500°C之间。
4. 反应物输送。将反应蒸汽如硅烷、乙炔等通过精确的流量计控制输送至反应室内。
5. 反应工艺。加热后的基板与反应物发生化学反应,在基板表面形成想要得到的膜层,如SiOx、TiO2、SiC等。温度、反应物流量和反应时间的控制至关重要。
6. 冷却基板。反应结束后,停止供应反应物,并通入惰性气体如氮气对反应室进行置换。然后使用 circulating water 冷却基板至室温。
7. 大气开槽。使用真空泵将反应室从高真空状态恢复至大气压力,然后取出基板。
8. 检测膜层性能。使用XRF、SEM等手段检测所得膜层的厚度、成份、结构等信息,确认是否达到预期要求。
9. 后续工序。对镀膜好的基板进行后续切割、抛光、弯曲等工序,或直接使用。
CVD真空镀膜技术通过控制化学反应来形成均匀光滑的薄膜。工艺流程涉及物理和化学知识,需要精密优化和控制,最后可获得理想的膜层效果和性能。