沟道长度调制效应是指MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。
导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使Id增大的效应。
以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例：
若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，称为沟道夹断。
若继续增大Vds，夹断点将向源端移动，故"看起来"，有效沟道长度减小，称为沟道调制效应。
对于长沟器件而言，沟道变化长度△L远小于原沟道长度，即△L可忽略，但在集成电路特征尺寸逐渐缩小的今天，沟道调制效应带来的影响愈加不可忽视。
