存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。
内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒(ns)度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU系统总线时钟周期相匹配的内存条存储周期 ，通常用访问周期T(又称存取周期等)表示,该概念与存取时间是不同的。
