掺硼单晶硅片相比,掺镓单晶硅片的应用难点在电阻率方面,因为硼的分凝系数为0.75,镓的分凝系数为0.008,两者相差了近两个数量级。
通过创新镓掺杂模型,改善镓掺杂工艺,将镓掺杂单晶的电阻率命中率提升至与掺硼单晶相近的水平,电阻率最终控制在0.3-1.5范围内,保证了电池端能够实现最大化的转化效率。
单晶硅掺镓技术
掺硼单晶硅片相比,掺镓单晶硅片的应用难点在电阻率方面,因为硼的分凝系数为0.75,镓的分凝系数为0.008,两者相差了近两个数量级。
通过创新镓掺杂模型,改善镓掺杂工艺,将镓掺杂单晶的电阻率命中率提升至与掺硼单晶相近的水平,电阻率最终控制在0.3-1.5范围内,保证了电池端能够实现最大化的转化效率。
单晶掺镓硅片是一种用于制造半导体器件的材料。它是由纯净的硅材料中掺入少量的镓元素制成的。掺镓可以改变硅片的导电性能,使其成为一种半导体材料。单晶掺镓硅片具有高纯度、晶体结构完整、电学性能稳定等优点,被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。它是现代电子技术中重要的基础材料之一。