半导体衬底材料是什么
半导体的衬底和外延是半导体制造过程中的两个重要组成部分，它们的区别如下：
1. 衬底
衬底就是制成半导体器件的基底材料，通常是单晶硅或蓝宝石。衬底的主要作用是提供晶体生长的基础，并为半导体器件提供力学支撑、电气连接等重要功能。衬底的选择很重要，因为它能够直接影响半导体器件的性能和可靠性。
2. 外延
外延是指在衬底上再生长一层单晶材料，通常是半导体材料，生成单晶外延膜，具有与衬底材料相同的晶体定向，但在外延膜中矫正缺陷和杂质浓度，以改善半导体器件的性能和功能。外延膜可以通过化学气相沉积、物理气相沉积和分子束外延等技术生长得到，其中化学气相沉积技术应用最为广泛。
总的来说，衬底是半导体器件制造的基础，外延是在衬底上生长的层，并可以改善半导体器件的性能和功能。两者在半导体器件制造中都具有不可替代的重要作用。
半导体的衬底和外延的主要区别：
1、作用不同。衬底通常起支撑作用；外延为器件所需的特定薄膜。
2、制成材料不同。衬底是半导体单晶材料制成；外延可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料。
二者的区别就是物质不同
衬底是制造电路的原材料,它是光滑的原片。
外延片，经过MOCVD工艺，可以在衬底上长一层几微米的单晶，可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延。
衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。
外延(epitaxy)是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程,新单晶可以与衬底为同一材料,也可以是不同材料(同质外延或者是异质外延)。
外延生长（Epitaxy），是指在原有半导体晶片之上生长出新的半导体晶体层的技术。主要用CVD（化学气相沉积）设备，或者MBE（分子束外延）设备实现。
采用外延技术，可以将GaN生长在SiC、Si、蓝宝石等其他材料衬底上，有效的解决GaN衬底材料的限制问题，GaN on SiC和 GaN on Si是未来的主流技术方向。
GaN同质衬底是生长GaN外延层最好的衬底，这样就不存在品格失配热失配问题，生长出来的外延膜质量将大大提高，位错密度也可降到很低，发光效率提高，提高器件工作电流密度。
