一种常用的GAN（GaAs Nucleation GAAN）氮化镓生产方法是分子束外延（MBE）法。该方法主要包括以下步骤：
1. 准备衬底：一般选择GaAs基底作为衬底材料，通过切割、抛光等工艺处理得到平整的衬底表面。
2. 清洗衬底：使用溶液或气体进行表面清洗，除去衬底表面的杂质和氧化物。
3. 加热衬底：将衬底放置在高温反应室中，进行预热处理，以提高杂质的脱附和原子迁移速率。
4. GAN生长：在高真空环境下，分别向反应室供给金属Ga、氮气N2和As4分子束，控制各分子束的功率、角度和时间，使它们按一定的序列和条件进入反应室，通过原子间的反应生成GaAs晶体的氮化物。其中，氮化镓的生长主要依靠氮气的反应，形成氮化镓的薄膜。
5. 光谱植入：通过光谱植入的方法对生长好的氮化镓薄膜进行离子注入，以改善其电学和光学性能。
6. 冷却衬底：停止供给分子束，将反应室温度降低，使衬底冷却，离开反应室。以上步骤是常见的MBE法生产GAN氮化镓的方法，但实际的生产过程可能因生长条件、设备配置等因素而有所差异。
