技术的拼音
EMIB工艺建立在标准封装构造流程的基础上，并附加了创建EMIB腔的步骤。桥位于空腔中，并用粘合剂固定在适当的位置。添加最后的介电层和金属堆积层，然后进行通孔钻孔和电镀。
EMIB互连的设计是多个目标之间的复杂权衡–互连密度（每毫米边缘的导线数，每毫米的凸点** 2），功率限制和信号带宽。对于每个裸片，这意味着驱动器尺寸和接收器灵敏度。为了节省功率，通常使用无端接的接收器（即，仅容性负载，无电阻端接）。为了解决这些目标，EMIB设计考虑因素包括线和空间尺寸，凸块间距，沟道长度，金属厚度以及金属层之间的介电材料。电信号屏蔽（例如S1G1，S2G1，S3G1）的设计也至关重要。
英特尔在2008年提出了嵌入式多芯片互连桥接技术(EMIB)技术。
EMIB是2.5D技术的一个变种。
2.5D封装的常用方法是使用硅中介层，它是夹在两片芯片之间的一层带孔的硅。英特尔认为中介层有些太大，所以它的EMIB使用了一个有多个路由层的桥接器。
英特尔的EMIB(Embedded Multi-Die Interconnect Bridge，嵌入式多核心互联桥接)封装技术理念跟上面的2.5D封装类似，但技术比AMD的更先进。英特尔早前的宣传视频中展示EMIB封装与传统2.5封装的优缺点，EMIB技术具有正常的封装良率、无需额外工艺和设计简单等优点。
当前，英特尔EMIB加速了全球近100万台笔记本电脑和FPGA（现场可编程门阵列）设备之中的数据流。随着EMIB技术更加主流化，这个数字将很快飙升，并覆盖更多产品。例如英特尔于11月17日发布的“Ponte Vecchio”通用GPU，就采用了EMIB技术
