当前存储芯片的加工工艺已经进入到了纳米级别，最常见的硬盘和闪存芯片加工工艺已经能够达到20纳米以下，甚至一些高端存储芯片的加工工艺已经达到了10纳米以下。
具体来说，目前主流的存储芯片工艺有以下几种：
1. SLC闪存芯片：最新的SLC闪存芯片加工工艺已经达到了15纳米。
2. MLC（多层单元）闪存芯片：MLC闪存芯片加工工艺普遍在19纳米到14纳米之间。
3. TLC（三层单元）闪存芯片：TLC闪存芯片加工工艺普遍在15纳米到10纳米之间。
4. QLC（四层单元）闪存芯片：QLC闪存芯片加工工艺大多在15纳米到9纳米之间。
5. 垂直磁记录硬盘：最新的垂直磁记录硬盘的加工工艺已经达到了14纳米。
需要注意的是，存储芯片的加工工艺不断向着更为细小的纳米级别发展，以提升存储容量和读写速度。因此，未来的存储芯片加工工艺有可能会进一步提高。
