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P管饱和条件:
1.当|Vgs| < |Vt| 时,则PMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时,则管子不导通。
2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时,PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻(有的也称为可变电阻区)。
3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时,PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应,我们可以认为漏端电流与Vds无关。
饱和区的条件和特点是
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P管饱和条件:
1.当|Vgs| < |Vt| 时,则PMOS管处于截止区。就是说当栅源电压低于阈值电压时,则管子不导通。
2.当 |Vds| < |Vgs|-|Vth| 时,PMOS管处于三极管区。这时PMOS管相当于一个小的电阻(有的也称为可变电阻区)。
3.当 |Vds| > |Vgs|-|Vth| 时,PMOS管处于饱和区。如果不考虑基区宽度调制效应,我们可以认为漏端电流与Vds无关。
PNP以及NPN三极管需要有正确的偏置电压,然后是发射结电压=>0.7V,这样三极管就会进入饱和区,发射结电压<0.6V时三极管就会截止了;