半导体金属靶材指的是用于半导体制程中的金属靶材。在半导体制程中，常用的一种方法是物理气相沉积（PVD），这是一种在真空中通过将金属靶材原子或分子从固态转变为气态，然后再沉积到半导体晶片上以形成金属薄膜的过程。
这种金属靶材可以是纯金属，例如铝（Al）、钛（Ti）、铜（Cu）、钨（W）、镍（Ni）等，也可以是合金或化合物，例如钛铁（TiN）、钛铝（TiAl）、钽酸锂（LiTaO3）等。所选用的金属靶材取决于所需的薄膜的性能和应用。
金属靶材在半导体制程中扮演着重要的角色，它们用于制造电路，形成屏障层，提供导电路径，以及形成其他功能结构。例如，铝靶材常用于形成微电子设备中的导电层，钛和钛铁靶材则常用于形成阻挡扩散的屏障层。
