场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种三端器件,由源极、漏极和栅极组成。它的工作原理是通过栅极电场的调控来控制源极和漏极之间的电流。与双极晶体管不同,场效应管中没有PN结。栅极与源极之间是一个绝缘层,形成了一个电容,而源极与漏极之间则是一个导电通道。因此,场效应管没有PN结,而是通过电场调控电流的流动。
这种结构使得场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和较大的增益等优点,广泛应用于放大、开关和模拟电路等领域。
场效应管有几个pn结
场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种三端器件,由源极、漏极和栅极组成。它的工作原理是通过栅极电场的调控来控制源极和漏极之间的电流。与双极晶体管不同,场效应管中没有PN结。栅极与源极之间是一个绝缘层,形成了一个电容,而源极与漏极之间则是一个导电通道。因此,场效应管没有PN结,而是通过电场调控电流的流动。
这种结构使得场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和较大的增益等优点,广泛应用于放大、开关和模拟电路等领域。
因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。