内存四个时序分别是CL、tRCD、tRP、tRAS。
内存时序4个数字对应的参数按照顺序分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，这四个代号全是缩写。
第一个CL即CAS Latency，它描述的是内存列地址访问的延迟时间，这也是时序中最重要的参数；
第二个tRCD，即RAS to CAS Delay，是指内存行地址传输到列地址的延迟时间；
第三个tRP，即RAS Precharge Time，表示内存行地址选通脉冲预充电时间；
第四个tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的时间。
