位错(dislocation),在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。位错是晶体中普遍存在的一种线缺陷,它对晶体生长、相变、塑性变形、断裂及其他物理化学性质具有重要的影响。
目前,已经有许多技术被用来研究位错的分布、排列和密度。在这些实验技术中,透射电子显微镜(简称TEM)在过去的50年里一直占主导地位,TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。
位错的类型包括
位错(dislocation),在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。位错是晶体中普遍存在的一种线缺陷,它对晶体生长、相变、塑性变形、断裂及其他物理化学性质具有重要的影响。
目前,已经有许多技术被用来研究位错的分布、排列和密度。在这些实验技术中,透射电子显微镜(简称TEM)在过去的50年里一直占主导地位,TEM观察的第一步是将金属样品加工成电子束可以穿过的薄膜。
晶体线缺陷的一种。位错是由于晶体生长不稳定或机械应力等原因,在晶体中引起部分滑移而产生的。所谓部分滑移是指晶体的一部分发生滑移,而另一部分没有发生滑移。位错线就是晶体中已滑移区和未滑移区在滑移面上的交界线。它在晶体中构成一个闭合环线或终止于晶体表面。