再结晶发生的基本条件是正常晶粒长大过程被分散相粒子、织构或表面热蚀沟等所强烈阻碍,当一次再结晶组织被继续加热时,上述阻碍因素一旦被消除,少数特殊晶界将迅速迁移,导致少数晶粒变大,而大晶粒界面通常是凹向内侧的,并且晶界曲率大,因此在晶界过剩表面能的驱动下,大晶粒将继续长大,直至相互接触形成二次再结晶组织。
二次再结晶为非形核过程,不产生新晶核,而是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而长大的。
再结晶的条件
再结晶发生的基本条件是正常晶粒长大过程被分散相粒子、织构或表面热蚀沟等所强烈阻碍,当一次再结晶组织被继续加热时,上述阻碍因素一旦被消除,少数特殊晶界将迅速迁移,导致少数晶粒变大,而大晶粒界面通常是凹向内侧的,并且晶界曲率大,因此在晶界过剩表面能的驱动下,大晶粒将继续长大,直至相互接触形成二次再结晶组织。
二次再结晶为非形核过程,不产生新晶核,而是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而长大的。
再结晶,指的是,在所控制的条件下,物质未能完全结晶,而在未控制条件的情况下,例如降温到室温后,再次结晶。条件包括温度等