PN结的反向偏置是指在PN结两端施加负电压,使得P区与N区之间的电场增强,阻止电子和空穴在PN结区域内的扩散和复合,从而使PN结处的电流变得非常小,形成一个高电阻状态。
在这种状态下,PN结的结电容也会增大,电容存储的电荷也会增加,从而使得PN结具有储存电荷的特性,可用于制作电容器、存储器等电子器件。
反向偏置还可用于研究PN结的响应特性,如反向击穿电压、反向漏电流等。
反向结平
PN结的反向偏置是指在PN结两端施加负电压,使得P区与N区之间的电场增强,阻止电子和空穴在PN结区域内的扩散和复合,从而使PN结处的电流变得非常小,形成一个高电阻状态。
在这种状态下,PN结的结电容也会增大,电容存储的电荷也会增加,从而使得PN结具有储存电荷的特性,可用于制作电容器、存储器等电子器件。
反向偏置还可用于研究PN结的响应特性,如反向击穿电压、反向漏电流等。
PN结的反向偏置是指在PN结两端施加一个外加电压,使得P区的电势高于N区,从而形成一个电场,阻碍电子和空穴的扩散。
这种偏置方式使得PN结处于截止状态,电流几乎不流动。
当反向偏置电压超过一定值(击穿电压),PN结会发生击穿,电流急剧增加,此时PN结处于击穿状态。反向偏置在电子器件中广泛应用,如二极管、光电二极管等。