问60t03gh场效应管资料

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问题描述：

场效应管基本原理

答推荐答案

2023-10-25 05:54:17

产品型号:AP60T03GH

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):45

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):44

极间电容Ciss(PF):1135

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：25

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,45A N-channel MOSFET

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2023-10-25 05:54:17

产品型号:AP60T03GH

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):45

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):44

极间电容Ciss(PF):1135

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：25

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,45A N-channel MOSFET

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