厚。
AZ光刻胶特点：
适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）
适用于正/负图形
很宽的膜厚范围
AZ光刻胶工艺条件：
前烘：
1、00℃ 60秒 (DHP)
曝光：
1、线步进式曝光机/接触式曝光机
反转烘烤：
1、10~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒
全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)
显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle
AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping
AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping
清洗：去离子水30秒
后烘：
1、20℃ 120秒（DHP）
剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。
光刻胶产品型号及参数
光刻胶名称
型号
匀胶厚度
Merck AZ 正/负可转换型光刻胶
AZ 5214
0.5-6um
AZ 50XT 正胶
AZ 50XT
40-80um
AZ 9260 正胶
AZ 9260
6.2-15um
AZ 4620 光刻胶
AZ 4620
10-15um
MicroChem SU-8 负胶
SU-8 2015
13-38um
MicroChem SU-8 负胶
SU-8 2050
40-170um
MicroChem SU-8 负胶
SU-8 2075
60-240um
MicroChem SU-8 负胶
SU-8 2150
190-650um
MicroChem SU-8 负胶
SU-8 3010
8-15um
MicroChem SU-8 负胶
SU-8 3050
44-100um
AZ光刻胶其他参数及说明：
