晶体生长方式和速率与界面结构是密切相关的,按界面结构不同可将晶体生长方式分为
1、完整光滑面的生长(二维晶核生长)
2、非完整光滑面的生长--(1)借螺位错长大、(2)孪晶生长的机制
3、粗糙界面的生长冷却度对晶体长大方式和速度的影响如下: 1.冷却速度越快,材料相应的增加,材料的结晶形核过程会有相应的时间滞后性,就会造成过冷度增加。 2.随着冷却速度的增大,则晶体内形核率和长大速度都加快,加速结晶过程的进行;
什么条件下晶体以平面方式生长
晶体生长方式和速率与界面结构是密切相关的,按界面结构不同可将晶体生长方式分为
1、完整光滑面的生长(二维晶核生长)
2、非完整光滑面的生长--(1)借螺位错长大、(2)孪晶生长的机制
3、粗糙界面的生长冷却度对晶体长大方式和速度的影响如下: 1.冷却速度越快,材料相应的增加,材料的结晶形核过程会有相应的时间滞后性,就会造成过冷度增加。 2.随着冷却速度的增大,则晶体内形核率和长大速度都加快,加速结晶过程的进行;
①平面方式长大:固液界面前方的液体正温度梯度分布,固液界面前方的过
冷区域及过冷度极小,晶体生长时凝固潜热析出的方向与晶体的生长方向相反。
②树枝晶方式生长:固液界面前方的液体负温度梯度分布,固液界面前方的
过冷区域较大,且距离固液界面越远过冷度越大,晶体生长时凝固潜热析出的方
向与晶体生长的方向相同。