CMOS的制造主要包括以下步骤：
1. 基板制备：选择纯度高、易于加工的硅片或蓝宝石基板作为CMOS电路的承载基底。对其进行切割、抛光、清洗，以制备出相对平整的表面。
2. 氧化：将基板表面暴露在氧气或水蒸气中，形成有规律的二氧化硅层（SiO2）。这个过程叫做热氧化，它的目的是去除基板表面的缺陷、平整化表面，同时使得表面有良好的电学性能。
3. 掩膜制备：通过硅片上的光刻和掩膜技术，将将图形转移到基板表面上，这个过程形成了掩膜，保护那些不需要处理的区域。
4. 输运材料沉积：利用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）技术，分别将氮化物和氧化物等材料分别沉积于所需区域。在这个过程中可以形成p型(MOS)与n型 (CMOS)的源、漏极。
5. 掩膜去除：在完成层沉积后，通过化学或物理的方式，去除所需要的掩膜。
6. 衬垫沉积：在器件区域表面沉积一层厚度较小但电学性能较好的氮化硅。
7. 金属线路制造：金属线路是电路的主要信息传输通路，通过利用电子束微影技术制造出所需要的电路线路，最后再进行金属层的沉积。
8. 封装工艺：这个过程依据具体的成品芯片要求和尺寸大小，通过多层封装，安置晶圆，加上电气连接，最终制造出成品的CMOS芯片。
以上是CMOS芯片制造的一些主要步骤，由于芯片制造涉及到众多的技术细节和流程，因此具体制造起来还需要复杂的设备和工艺控制。
