在45摄氏度进行晶体生长可能是由于以下原因之一：
1. 温度控制：在晶体生长过程中，温度是一个重要的控制参数。选择45摄氏度可能是为了保持稳定的温度条件，以促进晶体生长的均匀性和可重复性。
2. 晶体结构稳定性：某些物质在45摄氏度下具有较高的结构稳定性，晶体在这个温度范围内生长可以保持其晶体结构的完整性和凝聚态的稳定性。
3. 溶解度：晶体的溶解度与温度密切相关。选择适当的温度可以使溶液中的物质保持在饱和状态，促进晶体的生长。
4. 生长速度：物质的生长速率通常与温度有关。选择适当的温度可以控制晶体生长的速率，以获得所需的晶体尺寸和形状。需要注意的是，不同的物质和晶体有不同的最适生长温度，因此45摄氏度并不适用于所有晶体的生长。具体的晶体生长条件需根据具体的晶体种类和研究目的而定。
