氮化炉是在半导体材料和器件制造中常用的设备，用于氮化材料的生长和热处理。氮化炉通常是使用氨气（NH3）作为氮源来实现氮化过程。
在氮化炉中，氨气被引入到高温反应室中，与衬底表面的材料发生反应，形成氮化物薄膜。氮化炉中的高温条件（通常在800°C至1200°C之间）能够促使氨气和表面材料之间的化学反应发生。这些反应会导致氮化物的形成，如氮化硅（Si3N4）或氮化铝（AlN），用于制备特定的半导体材料。
需要注意的是，氮化炉使用氨气作为氮源的同时，还会有其他气体（如惰性气体）用于调节反应室的气氛和压力条件。这些气体的使用取决于具体的氮化工艺和材料需要。
总结起来，氮化炉通常使用氨气作为氮源，以实现在高温下生长和处理氮化材料的过程。
