高斯环流定理
高斯定理和环路定理是两个不同的物理学定理。
高斯定理:在静电场中，穿过任一封闭曲面的电场强度通量只与封闭曲面内的电荷的代数和有关，且等于封闭曲面的电荷的代数和除以真空中的电容率。该定律表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。静电场中通过任意闭合曲面（称高斯面）S 的电通量等于该闭合面内全部电荷的代数和除以真空中的电容率，与面外的电荷无关。
环路定理:在稳恒磁场中，磁感应强度B沿任何闭合路径的线积分，等于这闭合路径所包围的各个电流的代数和乘以磁导率。这个结论称为安培环路定理。它反映了稳恒磁场的磁感应线和载流导线相互套连的性质。
高斯定理（Gauss' law）是表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。
高斯定理在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律，而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性，高斯定理也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量，例如引力或者辐照度。
一、静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个有源场。
二、高斯定理，在真空中,通过任一闭合曲面的电场强度通量,等于该曲面所包围的所有电荷的代数和除以真空电容率.
三、高斯环路定理，电场强度对闭合回路的积分等于零。这些都说明了静电场是有独立电荷存在的，是一个有源场。
