锗酸铋化学式为Bi4Ge3O12，简称BGO。是中国于20世纪80年代研制的一种闪烁晶体材料，其晶系为立方晶系。
锗酸铋化学式为Bi4Ge3O12，简称BGO。是中国于20世纪80年代研制的一种闪烁晶体材料，其晶系为立方晶系。
在锗酸铋中，锗呈+4化合价，铋呈+3价。
当照射到伽马射线时，锗酸铋会放出波长在375-650nm之间的光子，其峰值在480nm。每吸收一百万电子伏特的高能量辐射就会放出约8500个光子。
20世纪80年代初, 中科院上海硅酸盐研究所采用坩埚下降法成功地生长了大尺寸锗酸铋(Bi4Ge3O12) 单晶。由于这种晶体阻挡高能射线能力强、分辨率高, 因而特别适合于高能粒子和高能射线的探测, 在基本粒子、空间物理和高能物理等研究领域有广泛的应用, 并已十分成功地用于欧洲核子研究中心L3 正负电子对撞机的电磁量能器上。 BGO是我国研制的一种闪烁晶体材料，曾用于诺贝尔奖获得者丁肇中的著名实验。bgo是锗酸铋的简称。在bgo中铋的化合价为+3价。
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