MoSys的1T-SRAM技术使用单晶体管单元即可完成以前6晶体管单元才能完成的高频数据访问及交换工作。
MoSys的1T-SRAM技术使用单晶体管单元即可完成以前6晶体管单元才能完成的高频数据访问及交换工作。
MoSys的1T-SRAM技术使用单晶体管单元即可完成以前6晶体管单元才能完成的高频数据访问及交换工作。因此1T-SRAM在Nintendo GameCube中的使用使得开发者们可以不再考虑以前6路晶体管SRAM的密度排布，而且它还可以有效减少线路的复杂程度以及为此而使用嵌入式DRAM而造成的不必要的花费。使用了1T-SRAM技术制造的存储器相比于传统的6路晶体管静态存储器其体积大大减小（仅为原来的1/9），除了更加高效与更小外，1T-SRAM还将更加省电，低能耗是它的又一优点。
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