崩越二极管是利用PN结中碰撞电离和渡越时间效应，产生微波频率下的负阻，从而产生振荡的器件。
崩越二极管的计算机模拟工作在世界上开展已久，中国也有所进展”，1985年中国研究人员改进了崩越管模拟程序。整个程序包括直流、交流小信号和大信号沸分。为了进一步了解器件物理性能，并达到优化器件设计的目的，对硅8毫米双漂移结构崩越管进行了大量的模拟运算，进而分析了模拟绪果。同时经一定步骤的模拟，对器件设计进行了优化,使研制的器件获得较好结果。
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