半导体表面附近多数载流子浓度大大增高的一个薄层即称为积累层。
accumulation layer
改正和补充：
这一层的导电性比体内要好得多。注意，积累层可采用外电场感应而形成（就像形成反型层——沟道一样），不能注入载流子来形成（因为多数载流子一般是不能注入的）。例如，在Nwell上加上一个方向朝下的正电场，则这个正电场会把电子吸引到Nwell上表面，在Nwell上表面的电子积累，即为电子的积累层。
对于处于负电阻状态下的半导体（如转移电子器件中的情况），其中多数载流子浓度的局部涨落将会导致多数载流子的大量积累，这也形成积累层；利用积累层的渡越可以产生微波振荡，这是转移电子器件的一种工作模式。
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