交叉滑移是位错离开一个密堆积面到达另一个相交的密堆积面,它是发生在位错线上的三种偶然事件之一,另两种是割阶和Cottrell障碍。
位错离开一个密堆积面到达另一个相交的密堆积面就称为发生了交叉滑移。显然这两个平面必须平行于滑移方向b,并且发生交叉滑移的是位错圈的螺型部分。
在许多体心立方金属中,至少当温度不太低时,交叉滑移是非常普遍的。结果,在与滑移方向相交的表面上滑移线是波纹形的,往往很难把滑移线与滑移面联系起来。在电子显微镜中,滑移线也是有些波纹形的,而且好像并不总是沿着确定的滑移面滑移。预料这是由于两个原因:
面心立方结构中的交叉滑移较少,它与体心立方结构的主要差别是当不全位错作交叉滑移时,不能不在两个面的交线上留下一个压位错。这种压杆位错将强烈地吸引交叉滑移过的不全位错。结果是当经过上图1b状态交叉滑移到上图1示e的状态时,所需的激活能非常高。如果在这种结构中,位错先在交线处复合,然后在新的滑移面上重新扩展,如下图2所示。
则交叉滑移就比较容易发生。如果位错在新的滑移面内长到足以能在切应力的作用下在此平面内弯曲和发展,则复合是稳定的,交叉滑移能够发展。在这样的距离下,两个束集A和B不再有相互作用。这时所需的激活能至多为2U,其中U单个束集P的激活能;随着交叉滑移面上外应力的增加,这个激活能应略有降低。
六角密堆积结构基面中交叉滑移更为困难,因为位错弧AB从基面交叉滑移到棱柱面时不能在扩展。上图3画出了交叉滑移的各个相继阶段。