结深

结深是影响光伏器件性能好坏的重要参数。定义为从硅中表面到扩散层浓度等于衬底浓度处之间的距离，一般以微米为单位计量。

结深定义

结深是半导体器件制造工艺的重要参数之一。结深是指在硅片中掺入不同导电类型的杂质时，在距离硅片表面x_f的地方，掺入的杂质浓度与硅片的本体杂质浓度相等，即在这一位置形成了PN结。x_f被称为结深。

结深结深测量

传统的结深测试方法有：汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等。

结深的测量，通常在100ml HF（49%）加几滴HNO₃的混合液中对磨斜角（1°～5°）的样品做化学染色，有时只要HF就够了。如果样品置于强光下照一两分钟，P型区要比n型区染色重。利用Tolansky干涉条纹技术，可精确测量0.5～100μm的结深。

化学染色法

采取化学染色法对B，Al和P杂质扩散形成的结深进行检测，通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性，选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试，以扩展电阻法所得结果为标准，与染色法的测量结果进行对比，根据测试结果与理论分析，对染色法的测试结果进行修正，确定P扩散结深的测试系数。

光波干涉测量方法

利用光波干涉原理及其测量效应，可以测量半导体芯片的结深。方法如下：被测芯片结深区磨角染角，显示结深。把芯片放到干涉显微镜上成像，使芯片表面和磨角区同时出现在显微镜视野中。此时磨角区是一斜面，于是干涉条纹也相应发生变化，在界面处弯折。调整干涉显微镜，使片面区干涉条纹垂直于磨角区界面。

选择一条正好和结深点交会的干涉条纹，用干涉显微镜的读数机构测出这条干涉条纹的弯曲量a，再测出干涉条纹的宽度b，用公式即可求出结深。

结深相关研究

光响应度是InGaAs/InP探测器的一个重要参数，它表征了探测器将入射光转换为光电流信号的强弱程度。光响应度小，说明探测器转换能力弱，探测灵敏度低，将影响到探测器的探测性能。

庄四祥等人研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响，对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验，测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明：扩散结深对器件的I-V特性影响不大，而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时，光响应度最大值出现在波长1.55μm处；而当结深进入衬底InP层后，光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外，在闭管扩散实验中，严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键，研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深，为器件的制备提供了参考。

光响应度随不同的P-N结结深变化而变化。