深亚微米集成电路，通常把0.35-0.8μm及其以下称为亚微米级，0.25um及其以下称为深亚微米，0.05um及其以下称为纳米级。
深亚微米集成电路：深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、铜互连技术（不是同互连）等。国际上集成电路的主流生产工艺技术为0.010μm-0.028μm。
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