线宽指的是IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。
引证解释
4微米/1微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度(注:应为最小沟道宽度,IC工艺的核心是MOS尺寸,所以最小导线宽度的说法不准确),是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元.
在光学中指光源的线宽，比如激光线宽。光从激光器中射出，激光起振后,会有一个或多个纵模产生,每个纵模的频率的范围就是激光的线宽。注意每个纵模的频率宽度和纵模之间的间隔是两个不同的概念,纵模间隔是相邻两个纵模中心频率的差值。激光线宽由谐振腔的品质因数决定,腔的品质因数越高,激光线宽就越窄。考虑激光介质的增益后,激光的线宽的理论极限由增益介质的自发辐射来决定,例如对于He-Ne,其线宽的理论极限约为10^-3Hz量级。当然实际的激光器中还有各种线宽展宽机制,使的激光线宽一般达不到其理论极限,例如对于He-Ne,温度变化0.01度引起的模式频率漂移约0.1MHz,实际He-Ne的激光线宽可达到1MHz,固体激光器中线宽可达1埃左右。
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