图形畸变是由临近效应引起的，这是由于散射电子倾向于将临近的不准备曝光的区域曝光，这种效应在应用电子束曝光中要比用光学曝光严重得多。
我们将散射类型分为前向散射和背向散射。前向散射发生在相对入射速度方向的一个小的角度范围内，并将导致图形轻微展宽，除非使用更高能量的电子或非常薄的光刻胶，否则前向散射会限制图形的分辨率。背向散射造成大面积曝光模糊。为了降低这个这个展宽效应，大多数高分辨率的EBL是利用薄的光刻胶来实现的。然后图形被转移到较厚的掩模层上，它可被用来获得预期的图形。针对给定的光刻胶，将入射电子束能量优化。
图形畸变在膜片掩模版中是一个严重的问题。除了与掩模版的电子束只写有关的位置错误外，严重的图形畸变可能来自于于系统中的掩模版夹紧不均匀。畸变的其他来源包括应力变化，或掩模版材料不同的热膨胀。由于掩模版上面各种不同层的增加，掩模空白基板上的应力可能改变。在曝光和形成图形之后，掩模版可能松弛，返回到它原来的状况。在曝光时，薄膜、吸收体和光刻胶中热膨胀不同，也能引起局部畸变。
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