翻转电流也称为反向电流，是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。
翻转电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是翻转电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，翻转电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时翻转电流若为250μA，温度升高到35℃，翻转电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的翻转电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时翻转电流仅为5μA，温度升高到75℃时，翻转电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。
晶体管的翻转电流包括：ICBO和ICEO。
ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的翻转电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
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