立体集成电路即三维集成电路。20世纪60年代产生的集成电路是用平面工艺制作的，器件的工作区和引线按平面布置，所以称为二维集成电路。
为了提高集成密度和减少外引线，80年代初出现了由多层叠积而成的三维电路结构，其电路各层之间均用绝缘层隔离，并通过穿孔互连，已达几十层之多，它分为叠层高密度结构和叠层多功能结构两种类型。
由于将不同功能的器件和电路纵向立体地集成起来，从而得到新的功能部件，所以具有高密度、高速度、多功能和低功耗等特点，可作成大容量存储器和高速信号处理器。制作三维集成电路的关键是SOI（硅/绝缘层结构）技术。随着分子束外延、化学气相淀积和原子搬移等超微加工技术的发展，在半导体芯片内部实现器件布局的立体化也将逐步实现，以制作出密度更高的立体集成电路。
温馨提示：
