直流溅射是指利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。
直流溅射是指利用直流辉光放电产生的离子轰击靶材进行溅射镀膜的技术。
直流溅射装置主要由真空室、真空系统和直流溅射电源构成。
真空室中装有辉光放电的阴极，靶材就装在此极表面上，接受离子轰击;安装镀膜基片或工件的样品台以及真空室接地，作为阳极。操作时将真空室抽至高真空后，通入氩气，并使其真空度维持在1. 0Pa左右，再加上2-3kV的直流电压于两电极之上，即可产生辉光放电。此时，在靶材(阴极)附近形成高密度的等离子体区，即负辉区该区中的离子在直流电压的加速下轰击靶材即发生溅射效应。由靶材表面溅射出来的原子沉积在基片或工件上，形成镀层。
为了提高等离子体密度，在垂直于靶面的方向上加有磁场，如在平行于靶面的方向加上环形磁场，则称为直流磁控溅射。直流溅射由于镀膜速率太低限制了它的大规模工业化。
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