高纯镓，一般杂质总含量在10-5以下的金属镓。按镓含量分为5N，6N，7N和8N共四种级别。沸点2403℃。
高纯镓，一般杂质总含量在10-5以下的金属镓。按镓含量分为5N，6N，7N和8N共四种级别。沸点2403℃。
斜方晶型，各向异性显著。0℃的电阻率沿a，b，c三个轴分别为1.75×10-6Ω·m，8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超纯镓剩余电阻率比值ρ300K/ρ4.2K为55 000。
采用化学处理、电解精炼、真空蒸馏、区域熔炼、拉单晶等多种工艺方法制备。
主要用于电子工业和通讯领域，是制取各种镓化合物半导体的原料，硅、锗半导体的掺杂剂，核反应堆的热交换介质。
2023年8月，广西大学本硕博创业团队“保‘镓’卫国” 研发出核心技术，成功制备出纯度均达到国际领先水平的芯片产业关键原材料7N高纯镓。据了解，7N高纯镓可广泛适应于军事、通讯、新能源产业等多领域，量产后能有效缓解我国半导体原材料行业“卡脖子”问题，为国家半导体原材料安全保驾护航。
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